上海徐汇区青少年活动中心

您现在的位置: 上海徐汇区青少年活动中心 >> 善思 >> 万花筒 >> 科技博览 >> 正文

科学家发现斯格明子霍尔效应:可造新型电子储存器

作者:web    文章来源:互联网    点击数:    更新时间:2017-2-4

 

俄罗斯卫星新闻网报道,俄罗斯远东联邦大学科研工作者奥列格.特列季亚科夫作为俄日美德国际研究团队的一员,发现斯格明子霍尔效应(skyrmion Hall effect),这使得制造更高速、廉价、可靠、非易失性的电子储存器成为可能。

  科学家们的工作成果发布在《自然.物理学》(Nature physics)杂志上。

  奥列格.特列季亚科夫称,“斯格明子”可能是未来磁存储技术的基础。斯格明子的间距可仅为几纳米,与此同时,现代硬盘的磁畴最少为100纳米。此外,以斯格明子为基础的内存甚至可在缺少电源的情况下保存信息。

  特列季亚科夫的同事、俄罗斯远东联邦大学的亚历山大.萨马尔达克解释说,现在科学家们已在基于斯格明子研发新的数据储存和处理系统。这样的储存器元件造价更低,并且工作速度更快,更可靠。未来它们可用于生产电脑、智能手机以及能够长时间工作无需充电的传感器。



文章录入:sunyi_70    责任编辑:sunyi_70     


2005-2013上海市徐汇区教育局 网站管理:上海市徐汇区青少年活动中心信息教育部 网站联系:021-54894741
沪ICP备10024346号-4 沪公网安备 31010402000731号 事业单位标识